إليك تفاصيل حول ترانزستور
F12N10:
1. الوظيفة
- تُستخدم شريحة F12N10 كترانزستور MOSFET من نوع N-channel، وتستخدم بشكل رئيسي في تطبيقات التبديل والتضخيم.
2. المواصفات
- الجهد الأقصى بين المصدر والمصرف (Vds): عادةً حوالي 100 فولت.
- التيار المستمر (Id): يصل عادةً إلى 12 أمبير.
- جهد عتبة البوابة (Vgs): يتراوح عادةً بين 2 فولت إلى 4 فولت، مما يسمح بتشغيل MOSFET عند جهود منخفضة.
- المقاومة عند التشغيل (Rds(on)): مقاومة منخفضة عند التشغيل، مما يساعد في تقليل فقد الطاقة أثناء التشغيل.
3. الميزات
- سرعة تبديل عالية.
- كفاءة عالية.
- مناسب للتطبيقات ذات الجهد المنخفض.
4. التطبيقات
- مزودات الطاقة.
- محركات القيادة.
- محولات التبديل.
- محركات LED.
5. ورقة البيانات
- للحصول على معلومات تفصيلية حول الخصائص الكهربائية، تخطيط الأرجل، والدورات التطبيقية، يُفضل الرجوع إلى ورقة البيانات الخاصة بالشريحة.
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.