وصف المنتج: CS12N65F
المكونات الأساسية:
- نوع المنتج: ترانزستور MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
- النموذج: CS12N65F
الميزات:
- جهد البوابة: 650 فولت.
- تيار الخرج: حتى 12 أمبير.
- أداء عالٍ: مقاومة القناة منخفضة، مما يساهم في تقليل فقد الطاقة.
المواصفات الفنية:
- نوع الحزمة: TO-220.
- درجة حرارة التشغيل: من -55°C إلى 150°C.
- مقاومة القناة (RDS(on)): منخفضة لتحسين الكفاءة.
التطبيقات:
- التحكم في المحركات.
- دوائر الطاقة.
- أنظمة التبديل في الإلكترونيات.
- تطبيقات الطاقة الشمسية.
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.