IRF840 N-Channel Power MOSFET:
المواصفات IRF840 N-Channel Power MOSFET:
- V_DS (جهد الدرين-المصدر): 500 فولت
- I_D (تيار الدرين المستمر): 8 أمبير (عند T_C = 25°C)
- P_D (قدرة التبديل): 94 واط (عند T_C = 25°C)
- R_DS(on) (المقاومة عند التشغيل): 0.33 أوم (كحد أقصى عند V_GS = 10 فولت)
- V_GS(th) (جهد العتبة بين البوابة والمصدر): 2 إلى 4 فولت
- T_j (درجة حرارة الوصلة): من -55°C إلى +150°C
الميزات:
- تبديل عالي السرعة: مصمم للتطبيقات ذات التردد العالي.
- تحمل جهد عالي: مناسب للاستخدام في دوائر الطاقة الكبيرة.
- استقرار حراري جيد: يوفر أداءً موثوقًا في ظروف التشغيل المختلفة.
التطبيقات:
- مصادر الطاقة
- دوائر التبديل
- محركات القيادة
- تطبيقات الصوت
العبوة:
- يتوفر عادة في عبوات TO-220، مما يسهل التركيب على لوحات الدوائر.
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.